新创5纳米IC技术更快更省电

2019-08-25 16:15 来源:安国科技网 3

目前全球最先进的积体电路(IC)量产技术为14纳米,不过国家实验研究院已着手研究5纳米的IC,并透过材料和结构上的创新,成功研发出比现行更省电、运算速度更快的IC,且获选国际电子元件会议的焦点论文,最快5年后有机会正式导入产业界量产。

国研院纳米元件实验室今天发表,两项取得全球顶尖电子元件国际会议焦点论文的新技术,包含 纳米级菱形锗高速通道技术 及 原子级二硫化钼二维通道技术 。

研究员陈旻政表示,产业界不断寻求电晶体微小化,其目的在于缩短电流传输的时间,以到达快速运算且节能的功效。而实验室历经半年以上的时间,成功透过纳米级蚀刻技术,在数10纳米大的锗通道内,雕出 菱形 结构,将电流通道拓展为4个面向,可使传输速度比现行的高出1倍。

另外纳米元件实验室也创世界之先,将厚度仅4纳米的二维二硫化钼与当今主流的鳍式电体结构整合,并搭配 双闸极 设计,减少漏电情形,用电量可比现行的IC节省一半。

陈旻政说,目前IC大厂已有技术将IC从14纳米逐渐缩减为5纳米,而这两项技术若要被采行、量产,最快可能要等到5年后,不过这两项技术为10至15年后的元件开创出新方案,因此备受科学界瞩目。

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